ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЗНАЧЕНИЯ МИКРОТВЕРДОСТИ ПО МЕТОДУ ВИККЕРСА В МОНОКРИСТАЛЛАХ β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ СОБСТВЕННОГО РАСПЛАВА OpenBooks

Журнал

Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики

Гузилова Л. И., Маслов В. Н., Айфантис К. Е., Романов А. Е., Николаев В. И.

УДК:620.178.152.341.4

Номер:3 (97)

Аннотация:

Приведены результаты исследования значения микротвердости монокристаллов β-Ga2O3для грани (001), выращенных методом свободной кристаллизации на установке «Гранат-2М». Значения микротвердости в монокристаллах β-Ga2O3определялись по методу Виккерса при различных величинах нагрузки. В качестве индентора применена четырехгранная алмазная пирамида. Усредненное значение микротвердости оксида галлия составило 8,91 ГПa. Проведено сравнение полученных величин со значениями микротвердости для других широкозонных полупроводников – эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках 6H-SiC, и слоев GaP, выращенных на подложках GaP:S. Результаты работы могут быть полезны при разработке технологического процесса механической обработки монокристаллических подложек β-Ga2O3. В частности, для механической обработки могут рекомендоваться карбид кремния и электрокорунд.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЗНАЧЕНИЯ МИКРОТВЕРДОСТИ ПО МЕТОДУ ВИККЕРСА В МОНОКРИСТАЛЛАХ β-Ga₂O₃, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ СОБСТВЕННОГО РАСПЛАВА

Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики

Аннотация:

Ключевые слова:

Постоянный URL

Статьи в номере

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЗНАЧЕНИЯ МИКРОТВЕРДОСТИ ПО МЕТОДУ ВИККЕРСА В МОНОКРИСТАЛЛАХ β-Ga2O3, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ СОБСТВЕННОГО РАСПЛАВА

Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики

Аннотация:

Ключевые слова:

Постоянный URL

Поделиться

Статьи в номере

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЗНАЧЕНИЯ МИКРОТВЕРДОСТИ ПО МЕТОДУ ВИККЕРСА В МОНОКРИСТАЛЛАХ β-Ga₂O₃, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ СОБСТВЕННОГО РАСПЛАВА